三星的6nm,5nm和4nm工艺改进了7nm:3nm淘汰了FinFET

  • 7纳米制程已经蓬勃发展,英特尔10纳米处理器终于投放市场。但是对于晶圆巨头来说,工艺之战变得更加激烈。
    在几天前的一次技术交流活动中,三星确认了未来节点流程的细节。
    三星表示,它将在EUV之后的3nm节点处开始GAAMCFET工艺(多桥FET通道)。
    由于FinFET的限制,将在5 nm节点之后将其替换。
    实际上,三星掌握的5nm可以视为第二代EUV,仅改进了7nmLPP。
    7nmLPP具有三个迭代:6nmLPP,5nmLPE和4nmLPE。
    与年初的路线图相比,三星6LPP只是推出了SDB并提供了一个。
    密度提高18倍。
    另一个更改是删除4LPP节点,并在路线图中仅保留4LPE。
    最后,三星将3GAAE和3GAAP重命名为3GAE和3GAP。
    关于工艺的核心,5nmLPE使用7nmLPP和SRAM晶体管,但性能提高了11%,UHD处的密度接近130MTr / mm2,并最终首次超过Intel10nm和TSMC 7nm。
    借助4nmLPE(2021年发布),三星可以达到137MTr / mm2的密度,接近TSMC 5nm。
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    检举


发表时间:2019-10-26

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